SiC kerámia UV lézeres vágógép

A szálláslekérdezés elküldése
SiC kerámia UV lézeres vágógép
Részletek
A SiC kerámia UV lézeres vágógépet szilícium-karbid (SiC) kerámia alkatrészek precíziós vágására, fúrására, karcolására és mikromegmunkálására tervezték.
Termék besorolás
Szilícium-karbid (SiC) kerámia lézeres vágógép
Share to
Leírás

SiC kerámia UV lézeres vágógép

 

 

A SiC kerámia UV lézeres vágógépet szilícium-karbid (SiC) kerámia alkatrészek precíziós vágására, fúrására, karcolására és mikromegmunkálására tervezték.


A 355 nm-es UV nanoszekundumos lézerrel, 20 W-os lézerteljesítménnyel, nagy sebességű galvanométeres szkenneléssel és precíziós mozgásvezérléssel felszerelt rendszert vékony és precíziós SiC kerámia alkatrészekhez optimalizálták, ahol fontosak a finom jellemzők, a kis lyukak, a keskeny bevágások és a szabályozott hőhatás.


(A kisebb hőhatást és nagyobb pontosságot igénylő alkalmazásokhoz ultraibolya pikoszekundumos lézer választható.)

 

Előnyeink

 

Kis fókuszpont

Fejlett optikai rendszerünk körülbelül 20 μm-es minimális fókuszpontméretet ér el. Ez lehetővé teszi a finom kontúrok, keskeny szerkezetek és részletes kerámiageometriák precíz anyageltávolítását és mikro-megmunkálását.

01

Kis vonalszélesség

Optimális körülmények között a rendszer 15 μm-ig éri el a minimális megmunkálási vonalszélességet. Kivételes rugalmasságot kínál a finom beíráshoz, a mikro-hornyoláshoz és a nagy-precíziós kerámiamintázáshoz. (A tényleges szélesség az anyag- és folyamatbeállításoktól függően változik.)

02

Nagy sebességű-galvanométeres szkennelés

A galvanométer-szkenner akár 7000 mm/s-ig gyors feldolgozási sebességet biztosít a beíráshoz, a mikro{1}}lyuktömbökhöz és a sűrű mintákhoz. Nagyobb munkadarabok esetén zökkenőmentesen működik együtt a mozgási platformmal, hogy kibővítse a hatékony munkaterületet.

03

Koordinált szkenner és platform feldolgozás

A fejlett szoftver lehetővé teszi a szinkronizált mozgást a galvanométer szkenner és a mozgási platform között. Ez biztosítja a folyamatos, nagy sebességű-megmunkálást nagy-felületű kerámiafelületeken.

04

Precíziós mozgás és látás igazítása

Nagy{0}}precíziós mozgási platformmal és CCD látóhelymeghatározó rendszerrel van felszerelve. Garantálja az automatikus, pontos munkadarab-igazítást és a kivételes feldolgozási konzisztenciát.

05

 

Műszaki előírások

 

 

TételSpecifikáció
FelszerelésUV lézeres feldolgozó rendszer
AlkalmazásSiC kerámia lézeres vágás és mikromegmunkálás
Lézer hullámhossz355 nm
Lézer típusUV nanoszekundumos lézer
Lézer teljesítmény20W
Lézer frekvencia50-200 kHz
Maximális feldolgozási terület300 × 300 mm*
Egyetlen szkennelési mező50 × 50 mm
Z-Axis Travel50 mm
Minimális fókuszpont20μm
Minimális gravírozási vonal szélesség15μm
Munkaasztal pozicionálási pontosság±3μm
Munkaasztal ismételhetősége±2μm
CCD Vision pozicionálási pontosság±3μm
Maximális szkennelési sebesség7000mm/s
SzívórendszerVentilátor légáramlás 100m³/h
A hűtő hőmérsékleti tartománya18-24 fok
A hűtő hőmérsékletének pontosságaKisebb vagy egyenlő, mint 0,2 fok
Tápegység220V, 50Hz
Teljes energiafogyasztás5 kW
A gép méretei1500 × 1400 × 1800 mm
kb. Gép súlya1500 kg
SzoftverGalvanométer + mozgási platform koordinált vezérlés
CAD fájl támogatásSzabványos DXF
Nagy rajztámogatás1 GB+
Opcionális lézerUV pikoszekundumos lézer

 

A 300 × 300 mm-es maximális feldolgozási terület koordinált galvanométer-szkennelés és platformmozgatás révén érhető el. Az egyetlen galvanométer letapogató mezője 50 × 50 mm.

 

SiC kerámiafeldolgozási alkalmazások

 

 

1. Vékony SiC kerámia hordozók
Vékony SiC szubsztrátumok érintésmentes, nagy- pontosságú, minimális termikus és mechanikai hatású feldolgozására tervezve. Ideális kontúrvágáshoz, aljzatleválasztáshoz, karcoláshoz, mikro-hornyokhoz és lyukak elhelyezéséhez.
 

2. SiC Micro-lyukfúrás
Lehetővé teszi a precíziós mikro-lyukfúrást és sűrű lyuktömbök létrehozását a gáz-áramláshoz, érzékelőhöz és funkcionális kerámia nyílásokhoz. A furat mérete, méretaránya és paraméterei mintavizsgálattal testreszabhatók, hogy megfeleljenek a pontos tűréseknek.
 

3. Precíziós félvezető SiC komponensek
Ideális kis, vékony SiC alkatrészek megmunkálásához, amelyeket félvezető berendezésekben használnak, beleértve a kerámia hordozókat, szigetelőelemeket és gázáramú lemezeket{0}}. Tökéletes olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy pozicionálási pontosságot és finom -funkciókat igényelnek.
 

4. SiC érzékelő és műszerelemek
Hőmérséklet-/nyomásérzékelő aljzatok, miniatűr szigetelőelemek és precíziós támasztékok megmunkálására szabott igényes környezetben. Tiszta kontúrvágást, mikro{1}}hornyokat és finom funkcionális szerkezeteket biztosít.
 

5. K+F, prototípus-készítés és kis{1}}részes gyártás
Támogatja a közvetlen CAD{0}}alapú feldolgozást drága mechanikus szerszámok nélkül, lehetővé téve a gyors tervezési iterációkat. Ideális egyetemekhez, K+F laboratóriumokhoz, kutatási mintákhoz és rugalmas kis-szériás gyártáshoz.

 

Precíziós feldolgozási képességek

 

 

A rendszer integrálja a lézeres szkennelést, a precíziós mozgást és a vizuális pozicionálást, hogy támogassa a különböző SiC feldolgozási követelményeket.

Feldolgozási funkcióTipikus alkalmazás
Precíziós VágásVékony SiC kerámia kontúrok
RétegkarcolásKerámia elválasztás és finom jelölés
Mikro-lyukfúrásKis lyukak és lyuktömbök
Finom SlottingKeskeny hornyok és rések
Profil vágásÖsszetett és szabálytalan kontúrok
MintafeldolgozásFinom kerámia szerkezetek
Pozícionáló furatokÖsszeszerelési és beállítási alkatrészek

 

UV vs. QCW lézer SiC kerámiákhoz

 

 

A különböző SiC alkalmazások eltérő lézeres feldolgozási stratégiákat igényelnek.

 

Követelmény355 nm-es UV lézerQCW Fiber Laser
Vékony SiC kerámia★★★★★★★★
Finom szerkezetek★★★★★★★★
Mikro lyukak★★★★★★★
Keskeny nyílások★★★★★★★★
Precíziós vágás★★★★★★★★
Vastag SiC vágás★★★★★★★
Nagy kontúrok★★★★★★★★
Nagy lyukak★★★★★★★
Nagy{0}}áteresztőképességű kiürítés★★★★★★★
Alacsony hőhatás★★★★★★★★

 

GYIK

 
 

K: Használhat-e a gép pikoszekundumos lézert?

V: Igen. Az UV-pikoszekundumos lézeres feldolgozás opcionális konfigurációként elérhető olyan alkalmazásokhoz, amelyek kisebb hőhatást, finomabb jellemzőket vagy nagyobb pontosságot igényelnek.

K: Az UV lézer jobb, mint a QCW a SiC esetében?

V: Vékony SiC kerámiák, mikrolyukak, finom szerkezetek és precíziós feldolgozás esetén a 355 nm-es UV általában alkalmasabb. A QCW szálas lézerrendszerek jobban megfelelnek vastagabb SiC kerámiákhoz, nagy kontúrokhoz, nagy lyukakhoz és nagy hatékonyságú vágáshoz.

K: Tesztelheti a SiC mintáinkat?

V: Igen. A berendezés kiválasztása előtt mintavizsgálat javasolt. A megfelelő lézerkonfiguráció és feldolgozási paraméterek meghatározása érdekében kiértékelhetjük az Ön SiC anyagát, vastagságát, geometriáját, furatméretét és él{2}}minőségi követelményeit.

 

Testreszabott SiC lézeres feldolgozás

 

 

A SiC kerámiák összetételében, sűrűségében, vastagságában, szerkezetében és felületi állapotában különböznek. A lézeres feldolgozás eredménye ezért jelentősen eltérhet a különböző anyagok és alkatrészek kialakítása között.


A YCLASER SiC mintavizsgálatot és folyamatértékelést biztosít a berendezés kiválasztása előtt.
Az ügyfelek biztosítják:
● SiC minták
● CAD rajzok
● Anyagvastagság
● Furatátmérő
● Vágási geometria
● Szükséges mérettűrés
● Edge{0}}minőségi követelmények
● Várható gyártási mennyiség
 

Mérnöki csapatunk ki tudja értékelni a megfelelőt:
Lézerforrás + optikai rendszer + pásztázási stratégia + mozgási platform + lézerparaméterek + feldolgozási út
 

Vegye fel velünk a kapcsolatot most!

 

Népszerű tags: sic kerámia UV lézervágó gép, Kína sic kerámia UV lézervágó gép gyártók, beszállítók, gyár

A szálláslekérdezés elküldése